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N0413N-ZK-E1-AY

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Numero di parte N0413N-ZK-E1-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Scheda dati

N0413N-ZK-E1-AY Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche N0413N-ZK-E1-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5550pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta), 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (D2Pak)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica N0413N-ZK-E1-AY

N0413N-ZK-E1-AY Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that N0413N-ZK-E1-AY is from the original manufacturer or authorized agents?
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