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N0412N-S19-AY

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte N0412N-S19-AY
Produttore Renesas Electronics America
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
Scheda dati

N0412N-S19-AY Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche N0412N-S19-AY

ProduttoreRenesas Electronics America
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5550pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta), 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica N0412N-S19-AY

N0412N-S19-AY Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

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Renesas Electronics Corporation

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: N0412N-S19-AY)

0
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Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

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D# N0412N-S19-AY-ND

Renesas Electronics Corporation

MOSFET N-CH 40V 100A TO220

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Renesas Electronics Corporation

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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Renesas Electronics Corporation

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