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MWI50-12E7

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Numero di parte MWI50-12E7
Produttore IXYS
Descrizione MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2
Scheda dati

MWI50-12E7 Scheda dati

pacchetto E2
ECAD
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Specifiche MWI50-12E7

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - IGBT - Moduli
pacchettoE2
ECAD
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)90A
Potenza - Max350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max)800µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.8nF @ 25V
IngressoStandard
Termistore NTCNo
temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoE2
Pacchetto dispositivo fornitoreE2

Scheda tecnica MWI50-12E7

MWI50-12E7 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

MWI50-12E7 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MWI50-12E7 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MWI50-12E7. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MWI50-12E7 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MWI50-12E7 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MWI50-12E7 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MWI50-12E7?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2

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IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2

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IXYS Corporation

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223
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