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MUN2213JT1G

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Numero di parte MUN2213JT1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
A magazzino 2.480 piece(s)
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Specifiche MUN2213JT1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max338mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-59

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Packing
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MUN2213JT1G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MUN2213JT1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MUN2213JT1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MUN2213JT1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MUN2213JT1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MUN2213JT1G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MUN2213JT1G?
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