* Please refer to the English Version as our Official Version.
Numero di parte | MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
---|---|
Produttore | Micron Technology Inc. |
Descrizione | IC DRAM LPDDR4 WFBGA |
Scheda dati | |
pacchetto | - |
ECAD | |
A magazzino | 7.408 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
Tempi di Consegna | Essere confermato |
Tempo di consegna stimato | nov 26 - dic 1 (Scegli una spedizione rapida) |
Richiedi Preventivo |
|
Modalità di pagamento | |
Servizi di consegna |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT - Trays (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) RoHS: Compliant
|
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA T/R (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR) RoHS: Compliant
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) RoHS: Compliant
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B) |
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR |
Micron Technology Inc |
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256M X 32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA T/R (Alt: MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# MT53E256M32D2DS-046AAT:B-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
0 |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR D# MT53E256M32D2DS-046AAT:BTR-ND |
Micron Technology Inc |
IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B |
Micron Technology Inc |
Available |
950 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# XSKDRABS0024599 |
Micron Technology Inc |
DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT |
844 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D# 80AH8360 |
Micron Technology Inc |
DRAM, 256M X 32BIT, -40 TO 105DEG C, DRAM Type:LPDDR4, DRAM Density:8Gbit, DRAM Memory Configuration:256M x 32bit, Clock Frequency:2.133GHz, Memory Case Style:WFBGA, No. of Pins:200Pins, Supply Voltage Nom:1.1V, Access Time:468ps RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1360
Container: Bulk
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR?
86-755-83210559 x831
Scansiona per visualizzare questa pagina
IC AMP AUDIO PWR HIFI PENTAWATT5
IC TXRX RS232 120KBPS SD 16-SSOP
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC AXIAL
OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4SMD
SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
DIODE SCHOTTKY 1A 100V TO-269AA
IC REG BUCK ADJUSTABLE 20A 21QFN
TVS DIODE 24VWM 40VC SMD
IC REG BUCK ADJ 4A QD SYNC 77BGA