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MRFE6VP6300HSR3

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Numero di parte MRFE6VP6300HSR3
Produttore NXP
Descrizione FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
Scheda dati

MRFE6VP6300HSR3 Scheda dati

pacchetto NI-780S-4
ECAD
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Specifiche MRFE6VP6300HSR3

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchettoNI-780S-4
ECAD
Serie-
Transistor TypeLDMOS (Dual)
Frequenza230MHz
Guadagno26.5dB
Voltaggio - Test50V
Valutazione attuale-
Figura di rumore-
Corrente - Test100mA
Potenza - Uscita300W
Tensione - Rated130V
Pacchetto / casoNI-780S-4
Pacchetto dispositivo fornitoreNI-780S-4

Scheda tecnica MRFE6VP6300HSR3

MRFE6VP6300HSR3 Packaging

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Sealing
Packing
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MRFE6VP6300HSR3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MRFE6VP6300HSR3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MRFE6VP6300HSR3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MRFE6VP6300HSR3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MRFE6VP6300HSR3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MRFE6VP6300HSR3 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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0
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Freescale Semiconductor

FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Rochester Electronics LLC

RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE

24
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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

42
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5880
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Freescale Semiconductor

RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
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