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MRF8S18260HSR6

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MRF8S18260HSR6

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Numero di parte MRF8S18260HSR6
Produttore NXP
Descrizione FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8
Scheda dati

MRF8S18260HSR6 Scheda dati

pacchetto SOT-1110B
ECAD
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Specifiche MRF8S18260HSR6

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchettoSOT-1110B
ECAD
Serie-
Transistor TypeLDMOS (Dual)
Frequenza1.81GHz
Guadagno17.9dB
Voltaggio - Test30V
Valutazione attuale-
Figura di rumore-
Corrente - Test1.6A
Potenza - Uscita74W
Tensione - Rated65V
Pacchetto / casoSOT-1110B
Pacchetto dispositivo fornitoreNI1230S-8

Scheda tecnica MRF8S18260HSR6

MRF8S18260HSR6 Packaging

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MRF8S18260HSR6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MRF8S18260HSR6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MRF8S18260HSR6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MRF8S18260HSR6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MRF8S18260HSR6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MRF8S18260HSR6 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MRF8S18260HSR6?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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NXP Semiconductors

HV8 1.8GHZ 260W NI1230S8 - Bulk (Alt: MRF8S18260HSR6)

RoHS: Compliant
0
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RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL

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Freescale Semiconductor

OEM/CM ONLY

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RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
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NXP Semiconductors

Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin Case 375J-02 T/R

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