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MRF8P20160HSR3

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MRF8P20160HSR3

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Numero di parte MRF8P20160HSR3
Produttore NXP
Descrizione FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
Scheda dati
pacchetto NI-780S-4
ECAD
A magazzino 18.648 piece(s)
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Specifiche MRF8P20160HSR3

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchettoNI-780S-4
ECAD
Serie-
Transistor TypeLDMOS (Dual)
Frequenza1.92GHz
Guadagno16.5dB
Voltaggio - Test28V
Valutazione attuale-
Figura di rumore-
Corrente - Test550mA
Potenza - Uscita37W
Tensione - Rated65V
Pacchetto / casoNI-780S-4
Pacchetto dispositivo fornitoreNI-780S-4

MRF8P20160HSR3 Packaging

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Packing
Insepction

MRF8P20160HSR3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MRF8P20160HSR3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MRF8P20160HSR3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MRF8P20160HSR3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MRF8P20160HSR3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MRF8P20160HSR3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MRF8P20160HSR3?
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    (1)Inform us within 90 days
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NXP Semiconductors

HV8 2GHZ 160W NI780HS-4 - Bulk (Alt: MRF8P20160HSR3)

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452
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RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL

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RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, N-Channel, MOSFET

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