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MRF6V3090NBR1

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Numero di parte MRF6V3090NBR1
Produttore NXP
Descrizione FET RF 110V 860MHZ TO272-4
Scheda dati

MRF6V3090NBR1 Scheda dati

pacchetto TO-272BB
ECAD
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Specifiche MRF6V3090NBR1

ProduttoreNXP
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchettoTO-272BB
ECAD
Serie-
Transistor TypeLDMOS
Frequenza860MHz
Guadagno22dB
Voltaggio - Test50V
Valutazione attuale-
Figura di rumore-
Corrente - Test350mA
Potenza - Uscita18W
Tensione - Rated110V
Pacchetto / casoTO-272BB
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-272 WB-4

Scheda tecnica MRF6V3090NBR1

MRF6V3090NBR1 Packaging

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MRF6V3090NBR1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MRF6V3090NBR1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the MRF6V3090NBR1 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R

0
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NXP Semiconductors

Transistor RF FET N-CH 110V 470MHz to 1215MHz 4-Pin TO-272WB T/R - Bulk (Alt: MRF6V3090NBR1)

RoHS: Compliant
0
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MRF6V3090NBR1

D# MRF6V3090NBR1

NXP Semiconductors

Transistor RF FET N-CH 110V 470MHz to 1215MHz 4-Pin TO-272WB T/R (Alt: MRF6V3090NBR1)

RoHS: Compliant
0
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RF POWER TRANSISTOR

731
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RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

2
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1800
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500
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RF Ultra High Frequency Band, N-Channel Power MOSFET, TO-272

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NXP Semiconductors

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Freescale Semiconductor

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