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MMSF3P02HDR2G

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Numero di parte MMSF3P02HDR2G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche MMSF3P02HDR2G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 16V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

MMSF3P02HDR2G Packaging

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Sealing
Packing
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MMSF3P02HDR2G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MMSF3P02HDR2G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MMSF3P02HDR2G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MMSF3P02HDR2G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MMSF3P02HDR2G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MMSF3P02HDR2G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MMSF3P02HDR2G?
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Trans MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-Pin SOIC N T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: MMSF3P02HDR2G)

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MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

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ON Semiconductor

P-Channel 20 V 75 mOhm 2.5 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8

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0
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3944
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ON Semiconductor

MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm

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2284
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ON Semiconductor

P CHANNEL MOSFET, -20V, 5.6A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:5.6A, On Resistance Rds(on):0.06ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
0
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Power Field-Effect Transistor, 5.6A, 20V, 0.075ohm, P-Channel, MOSFET

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