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MMDFS6N303R2

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Numero di parte MMDFS6N303R2
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche MMDFS6N303R2

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieFETKY?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 24V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

MMDFS6N303R2 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

MMDFS6N303R2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MMDFS6N303R2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the MMDFS6N303R2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MMDFS6N303R2?
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