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MMDF2N02ER2G

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Numero di parte MMDF2N02ER2G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche MMDF2N02ER2G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds532pF @ 16V
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

MMDF2N02ER2G Packaging

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Packing
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MMDF2N02ER2G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that MMDF2N02ER2G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MMDF2N02ER2G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MMDF2N02ER2G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MMDF2N02ER2G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MMDF2N02ER2G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MMDF2N02ER2G?
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ON Semiconductor

N/A 3.6 A, 25 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET SO-8

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MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

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