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MJE5851G

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Numero di parte MJE5851G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 350V 8A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 5.936 piece(s)
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Specifiche MJE5851G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieSWITCHMODE?
Transistor TypePNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic5V @ 3A, 8A
Corrente - Limite del collettore (max)-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 5A, 5V
Potenza - Max80W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

MJE5851G Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

MJE5851G FAQ

  • 1. How to order MJE5851G on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that MJE5851G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MJE5851G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MJE5851G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MJE5851G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MJE5851G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MJE5851G?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of MJE5851G.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# P40:2555_15956102

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

0
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D# MJE5851G

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 350V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: MJE5851G)

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ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 350V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail (Alt: MJE5851G)

RoHS: Compliant
0
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ON Semiconductor

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, TO-220, Transistor Polarity:PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V, Transition Frequency ft:-, Power Dissipation Pd:80W, DC Collector Current:-8A, DC Current Gain hFE:15, No. of Pins:3, MSL:- , RoHS Compliant: Yes

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

MJE5851G

D# MJE5851GOS-ND

ON Semiconductor

TRANS PNP 350V 8A TO220AB

4
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

MJE5851G

ON Semiconductor

MJE Series 350 V 8 A SWITCHMODE™ Series PNP Silicon Power Transistor - TO-220AB

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

MJE5851G

ON Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

863
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D# 863-MJE5851G

ON Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP

RoHS: Compliant
308
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

MJE5851G

D# 42K1299

ON Semiconductor

BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, TO-220, Transistor Polarity:PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V, DC Collector Current:-8A, Power Dissipation Pd:80W, Transistor Mounting:Through Hole, No. of Pins:3Pins, Product Range:-, MSL:-RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Bulk
0
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MJE5851G

D# NS-MJE5851G

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

5939
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

MJE5851G

ON Semiconductor

Power Bipolar Transistor, 8A, 350V, PNP, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

RoHS: Compliant
14
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MJE5851G

ON Semiconductor

OEM/CM ONLY

839
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ON Semiconductor

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MJE5851G

D# 26621158

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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