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MGSF1N03LT3G

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Numero di parte MGSF1N03LT3G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche MGSF1N03LT3G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 5V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 1.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

MGSF1N03LT3G Packaging

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Sealing
Packing
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MGSF1N03LT3G FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that MGSF1N03LT3G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the MGSF1N03LT3G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including MGSF1N03LT3G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of MGSF1N03LT3G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the MGSF1N03LT3G price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of MGSF1N03LT3G?
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