Name: MAP6KE82CAE3
Brand: Microsemi Corporation
SKU: MAP6KE82CAE3
Availability: InStock
Rating: 5 (143 reviews)

MAP6KE82CAE3

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Numero di parte	MAP6KE82CAE3
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18
Scheda dati
pacchetto	T-18, Axial
ECAD
A magazzino	7.398 piece(s)
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Specifiche MAP6KE82CAE3

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi di protezione da sovratensioni, sovracorrenti, sovratemperature - TVS - Diodi
pacchetto	T-18, Axial
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500
genere	Zener
Canali unidirezionali	-
Canali bidirezionali	1
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	70.1V
Voltage - Breakdown (Min)	77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp	113V
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs)	5.3A
Potenza - Peak Pulse	600W
Protezione della linea di alimentazione	No
applicazioni	General Purpose
Capacità @ frequenza	-
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	T-18

MAP6KE82CAE3 Packaging

MAP6KE82CAE3 FAQ

1. How to order MAP6KE82CAE3 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that MAP6KE82CAE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Diode TVS Single Bi-Dir 70.1V 600W 2-Pin T-18 Bulk - Bag (Alt: MAP6KE82CAE3)

RoHS: Compliant

MAP6KE8.2CAE3

D# MAP6KE8.2CAE3

Microchip Technology Inc

Diode TVS Single Bi-Dir 7.02V 600W 2-Pin T-18 Bulk - Bag (Alt: MAP6KE8.2CAE3)

RoHS: Compliant

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Produttore

Descrizione

Azione

MAP6KE8.2CAE3

Microsemi Corporation

TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

MAP6KE82CAE3

Microsemi Corporation

TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

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Produttore

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D# 1086-4608-ND

Microchip Technology Inc

TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

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D# 1086-4612-ND

Microchip Technology Inc

TVS DIODE 70.1V 113V T-18

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MAP6KE8.2CAE3

Microchip Technology Inc

Hi Rel TVS

RoHS: Compliant

MAP6KE82CAE3

Microchip Technology Inc

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D# NS-MAP6KE8.2CAE3

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MAP6KE82CAE3

D# NS-MAP6KE82CAE3

Microsemi Corporation

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