Name: MAP6KE33AE3
Brand: Microsemi Corporation
SKU: MAP6KE33AE3
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

MAP6KE33AE3

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Numero di parte	MAP6KE33AE3
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC T18
Scheda dati
pacchetto	T-18, Axial
ECAD
A magazzino	3.454 piece(s)
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Specifiche MAP6KE33AE3

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi di protezione da sovratensioni, sovracorrenti, sovratemperature - TVS - Diodi
pacchetto	T-18, Axial
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500
genere	Zener
Canali unidirezionali	1
Canali bidirezionali	-
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	28.2V
Voltage - Breakdown (Min)	31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp	45.7V
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs)	13.2A
Potenza - Peak Pulse	600W
Protezione della linea di alimentazione	No
applicazioni	General Purpose
Capacità @ frequenza	-
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	T-18, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	T-18

MAP6KE33AE3 Packaging

MAP6KE33AE3 FAQ

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Numero di parte

Produttore

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MAP6KE33AE3

D# MAP6KE33AE3

Microchip Technology Inc

Diode TVS Single Uni-Dir 28.2V 600W 2-Pin T-18 Bulk - Bag (Alt: MAP6KE33AE3)

RoHS: Compliant

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Microsemi Corporation

TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC T18

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MAP6KE33AE3

D# 1086-4558-ND

Microchip Technology Inc

TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Numero di parte

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MAP6KE33AE3

Microchip Technology Inc

Hi Rel TVS

RoHS: Compliant

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MAP6KE33AE3

D# MCHP00000077916

Microchip Technology Inc

Hi Rel TVS

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D# NS-MAP6KE33AE3

Microsemi Corporation

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