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JANTXV2N3997

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte JANTXV2N3997
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione TRANS NPN 80V 10A TO111
Scheda dati
pacchetto TO-111-4, Stud
ECAD
A magazzino 2.320 piece(s)
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Specifiche JANTXV2N3997

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-111-4, Stud
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/374
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2V @ 500mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max)10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 1A, 2V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis, Stud Mount
Pacchetto / casoTO-111-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-111

JANTXV2N3997 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JANTXV2N3997 FAQ

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  • 3. Are the JANTXV2N3997 price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N3997

D# VN6:3635_17334486

Microsemi Corporation

Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

2N3997JANTXV

D# JANTXV2N3997

Microchip Technology Inc

POWER BJT (Alt: JANTXV2N3997)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N3997

Solitron Devices Inc

1
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N3997

D# 1086-20948-ND

Microchip Technology Inc

TRANS NPN 80V 10A TO111

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N3997P

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15

JANTXV2N3997

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N3997

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV2N3997

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