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JANTXV1N5811URS

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Numero di parte JANTXV1N5811URS
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, B
ECAD
A magazzino 3.264 piece(s)
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Specifiche JANTXV1N5811URS

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, B
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/477
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)150V
Corrente - Rettificato medio (Io)3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875mV @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitoreB, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 175°C

JANTXV1N5811URS Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JANTXV1N5811URS FAQ

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0
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Microchip Technology Inc

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0
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Microchip Technology Inc

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