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JANTXV1N5802URS

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Numero di parte JANTXV1N5802URS
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, A
ECAD
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Specifiche JANTXV1N5802URS

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, A
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/477
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)50V
Corrente - Rettificato medio (Io)1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 50V
Capacità @ Vr, F25pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitoreA-MELF
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 175°C

JANTXV1N5802URS Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JANTXV1N5802URS FAQ

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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# JANTXV1N5802URS

Microchip Technology Inc

Diode Ultra Fast Recovery 50V 1A 2-Pin Case A Bag - Bag (Alt: JANTXV1N5802URS)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 1086-19431-ND

Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV1N5802URS

Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JANTXV1N5802URS

D# MCHP00000072255

Microchip Technology Inc

Rectifier

0

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