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JAN2N7335

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Numero di parte JAN2N7335
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Scheda dati
pacchetto 14-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
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Specifiche JAN2N7335

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto14-DIP (0.300", 7.62mm)
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/599
Tipo FET4 P-Channel
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C750mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.4W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / caso14-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore-

JAN2N7335 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

JAN2N7335 FAQ

  • 1. How to order JAN2N7335 on Heisener?
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  • 2. How does Heisener guarantee that JAN2N7335 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the JAN2N7335. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including JAN2N7335 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of JAN2N7335 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the JAN2N7335 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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D# VN6:3635_18665221

Microsemi Corporation

Trans MOSFET P-CH 100V 0.75A 14-Pin MO-036AB

RoHS: Not Compliant
0
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Microsemi Corporation

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# JAN2N7335-ND

Microsemi Corporation

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

0
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN2N7335

D# 35314013

Microsemi Corporation

Trans MOSFET P-CH 100V 0.75A 14-Pin MO-036AB

RoHS: Not Compliant
0

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