Name: JAN2N6798
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN2N6798
Availability: InStock
Rating: 5 (69 reviews)

JAN2N6798

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Numero di parte	JAN2N6798
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Scheda dati
pacchetto	TO-205AF Metal Can
ECAD
A magazzino	2.592 piece(s)
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Specifiche JAN2N6798

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-205AF Metal Can
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/557
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42.07nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-39
Pacchetto / caso	TO-205AF Metal Can

JAN2N6798 Packaging

JAN2N6798 FAQ

1. How to order JAN2N6798 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that JAN2N6798 is from the original manufacturer or authorized agents?

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JAN2N6798U

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MOSFET N-CH 18-LCC

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Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 18-LCC

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D# JAN2N6798-ND

Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39

JAN2N6798U

D# JAN2N6798U-ND

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MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC

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Microwave Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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OEM/CM ONLY

5587

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Microsemi Corporation

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Harris Semiconductor

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