Name: JAN2N6796U
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN2N6796U
Availability: InStock
Rating: 5 (70 reviews)

JAN2N6796U

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Numero di parte	JAN2N6796U
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	MOSFET N-CH 18-LCC
Scheda dati
pacchetto	18-BQFN Exposed Pad
ECAD
A magazzino	5.872 piece(s)
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Specifiche JAN2N6796U

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	18-BQFN Exposed Pad
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/557
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28.51nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	18-ULCC (9.14x7.49)
Pacchetto / caso	18-BQFN Exposed Pad

JAN2N6796U Packaging

JAN2N6796U FAQ

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2. How does Heisener guarantee that JAN2N6796U is from the original manufacturer or authorized agents?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of JAN2N6796U.

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JAN2N6796U

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D# JAN2N6796U-ND

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MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC

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