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JAN2N6788

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Numero di parte JAN2N6788
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
Scheda dati
pacchetto TO-205AF Metal Can
ECAD
A magazzino 3.296 piece(s)
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Specifiche JAN2N6788

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-205AF Metal Can
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/555
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)800mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs350 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-39
Pacchetto / casoTO-205AF Metal Can

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Sealing
Packing
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JAN2N6788 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that JAN2N6788 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 18-LCC

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Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 18-LCC

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# JAN2N6788-ND

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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