Name: JAN2N3999
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN2N3999
Availability: InStock
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JAN2N3999

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Numero di parte	JAN2N3999
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	TRANS NPN 80V 10A TO59
Scheda dati
pacchetto	TO-210AA, TO-59-4, Stud
ECAD
A magazzino	5.664 piece(s)
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Specifiche JAN2N3999

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchetto	TO-210AA, TO-59-4, Stud
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/374
Transistor Type	NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)	10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2V @ 500mA, 5A
Corrente - Limite del collettore (max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 1A, 2V
Potenza - Max	2W
Frequenza - Transizione	-
temperatura di esercizio	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Stud Mount
Pacchetto / caso	TO-210AA, TO-59-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-59

JAN2N3999 Packaging

JAN2N3999 FAQ

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D# JAN2N3999

Microchip Technology Inc

Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 - Trays (Alt: JAN2N3999)

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D# 1086-20952-ND

Microchip Technology Inc

TRANS NPN 80V 10A TO59

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Transitron Electronic Cor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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Microchip Technology Inc

Power BJT

RoHS: Compliant

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D# MCHP00000060549

Microchip Technology Inc

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Transitron Electronic Corp

Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-210AA

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