Name: JAN1N6661US
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN1N6661US
Availability: InStock
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JAN1N6661US

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Numero di parte	JAN1N6661US
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A
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pacchetto	SQ-MELF, A
ECAD
A magazzino	2.800 piece(s)
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Specifiche JAN1N6661US

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchetto	SQ-MELF, A
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/587
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	225V
Corrente - Rettificato medio (Io)	500mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 400mA
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	50nA @ 225V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitore	D-5A
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 175°C

JAN1N6661US Packaging

JAN1N6661US FAQ

1. How to order JAN1N6661US on Heisener?

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D# JAN1N6661US

Microchip Technology Inc

Diode Standard Recovery 225V 0.5A 2-Pin Case A Bag - Bag (Alt: JAN1N6661US)

RoHS: Not Compliant

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D# 1086-16019-ND

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DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A

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JAN1N6661US/TR

Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant

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Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant

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D# MCHP00000059440

Microchip Technology Inc

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D# MCHP00000059439

Microchip Technology Inc

Rectifier

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D# NS-JAN1N6661US

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