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JAN1N6631US

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Numero di parte JAN1N6631US
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, E
ECAD
A magazzino 4.528 piece(s)
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Specifiche JAN1N6631US

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, E
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/590
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)1100V
Corrente - Rettificato medio (Io)1.4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.6V @ 1.4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr4µA @ 1100V
Capacità @ Vr, F40pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, E
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5B
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 150°C

JAN1N6631US Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JAN1N6631US FAQ

  • 1. How to order JAN1N6631US on Heisener?
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  • 3. Are the JAN1N6631US price and inventory displayed accurate?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V37:1799_16597168

Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 1KV 2.8A 60ns 2-Pin MELF-B

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6631US

D# JAN1N6631US

Sensitron Semiconductors

Diode Standard Recovery Rectifier 1000V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6631US)

RoHS: Not Compliant
0

1N6631USJAN

D# JAN1N6631US

Microchip Technology Inc

Diode Standard Recovery Rectifier 1000V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6631US)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6631US

D# 1086-20001-ND

Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6631US

Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
0

JAN1N6631US/TR

Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6631US/TR

D# MCHP00000059358

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Rectifier

0

JAN1N6631US

D# MCHP00000059357

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Rectifier

0

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