Name: JAN1N6630US
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN1N6630US
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

JAN1N6630US

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Numero di parte	JAN1N6630US
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
Scheda dati
pacchetto	SQ-MELF, E
ECAD
A magazzino	6.880 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche JAN1N6630US

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchetto	SQ-MELF, E
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/590
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	900V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1.4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.4V @ 1.4A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	2µA @ 900V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SQ-MELF, E
Pacchetto dispositivo fornitore	D-5B
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 150°C

JAN1N6630US Packaging

JAN1N6630US FAQ

1. How to order JAN1N6630US on Heisener?

Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
2. How does Heisener guarantee that JAN1N6630US is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the JAN1N6630US price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of JAN1N6630US fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the JAN1N6630US we delivered, we will accept the replacement or return of the JAN1N6630US only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of JAN1N6630US.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N6630US

D# V37:1799_16597584

Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 900V 2.8A 50ns 2-Pin MELF-B

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

1N6630USJAN

D# JAN1N6630US

Microchip Technology Inc

Diode Standard Recovery Rectifier 900V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6630US)

RoHS: Not Compliant

JAN1N6630US

D# JAN1N6630US

Sensitron Semiconductors

Diode Standard Recovery Rectifier 900V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6630US)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N6630US

D# 1086-19995-ND

Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N6630US

Sensitron Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

116

1N6630USJAN

Sensitron Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

110

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N6630US

Microchip Technology Inc

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RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N6630US

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N6630US

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1N6630USJAN

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OEM/CM ONLY

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