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JAN1N6630US

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Numero di parte JAN1N6630US
Produttore Microsemi Corporation
Descrizione DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
Scheda dati
pacchetto SQ-MELF, E
ECAD
A magazzino 6.880 piece(s)
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Specifiche JAN1N6630US

ProduttoreMicrosemi Corporation
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchettoSQ-MELF, E
ECAD
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/590
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)900V
Corrente - Rettificato medio (Io)1.4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.4V @ 1.4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 900V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSQ-MELF, E
Pacchetto dispositivo fornitoreD-5B
Temperatura operativa - Giunzione-65°C ~ 150°C

JAN1N6630US Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

JAN1N6630US FAQ

  • 1. How to order JAN1N6630US on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that JAN1N6630US is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the JAN1N6630US. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including JAN1N6630US on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of JAN1N6630US products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the JAN1N6630US price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of JAN1N6630US?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the JAN1N6630US we delivered, we will accept the replacement or return of the JAN1N6630US only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6630US

D# V37:1799_16597584

Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 900V 2.8A 50ns 2-Pin MELF-B

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1N6630USJAN

D# JAN1N6630US

Microchip Technology Inc

Diode Standard Recovery Rectifier 900V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6630US)

RoHS: Not Compliant
0

JAN1N6630US

D# JAN1N6630US

Sensitron Semiconductors

Diode Standard Recovery Rectifier 900V 2.8A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N6630US)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6630US

D# 1086-19995-ND

Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

1N6630USJAN

Sensitron Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

110

JAN1N6630US

Sensitron Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

116
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6630US

Microchip Technology Inc

Rectifier

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6630US

D# MCHP00000059354

Microchip Technology Inc

Rectifier

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

JAN1N6630US

SENSITRON-SEMICONDUCTOR

OEM/CM ONLY

116

1N6630USJAN

Sensitron Semiconductors

OEM/CM ONLY

116

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