Name: JAN1N5612
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN1N5612
Availability: InStock
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JAN1N5612

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Numero di parte	JAN1N5612
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	TVS DIODE 49VWM 78.5VC G-PKG
Scheda dati
pacchetto	G, Axial
ECAD
A magazzino	4.536 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche JAN1N5612

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi di protezione da sovratensioni, sovracorrenti, sovratemperature - TVS - Diodi
pacchetto	G, Axial
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/434
genere	Zener
Canali unidirezionali	1
Canali bidirezionali	-
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	49V
Voltage - Breakdown (Min)	54V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp	78.5V
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs)	19A
Potenza - Peak Pulse	1500W (1.5kW)
Protezione della linea di alimentazione	No
applicazioni	General Purpose
Capacità @ frequenza	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	G, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	G, Axial

JAN1N5612 Packaging

JAN1N5612 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N5612

D# JAN1N5612

Microchip Technology Inc

Diode TVS Single Uni-Direction 49V 1.5kW 2-Pin Case G Bag - Bag (Alt: JAN1N5612)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N5612

D# 1086-15770-ND

Microchip Technology Inc

TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N5612

Microchip Technology Inc

Hi Rel TVS

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N5612

D# MCHP00000058496

Microchip Technology Inc

Hi Rel TVS

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