Name: JAN1N5417US
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JAN1N5417US
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

JAN1N5417US

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Numero di parte	JAN1N5417US
Produttore	Microsemi Corporation
Descrizione	DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Scheda dati
pacchetto	SQ-MELF, B
ECAD
A magazzino	6.720 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche JAN1N5417US

Produttore	Microsemi Corporation
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchetto	SQ-MELF, B
ECAD
Serie	Military, MIL-PRF-19500/411
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5V @ 9A
Velocità	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore	B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 175°C

JAN1N5417US Packaging

JAN1N5417US FAQ

1. How to order JAN1N5417US on Heisener?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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JAN1N5417US

D# V37:1799_16597280

Sensitron Semiconductors

Rectifier Diode Switching 200V 3A 150ns 2-Pin MELF-B

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

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JAN1N5417US

D# JAN1N5417US

Sensitron Semiconductors

Diode Fast Recovery Rectifier 200V 3A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N5417US)

RoHS: Not Compliant

1N5417USJAN

D# JAN1N5417US

Microchip Technology Inc

Diode Fast Recovery Rectifier 200V 3A 2-Pin MELF - Bag (Alt: JAN1N5417US)

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

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Descrizione

Azione

JAN1N5417US

Microsemi Corporation

FAST RECOVERY RECTFR 200V 3A 2PIN E-MELF - Bulk

Numero di parte

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Descrizione

Azione

JAN1N5417US

D# 1086-2089-ND

Microchip Technology Inc

DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

JAN1N5417US/TR

Microchip Technology Inc

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RoHS: Compliant

JAN1N5417US

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