| Numero di parte | IXTX24N100 |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.632 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 267nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 568W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 12A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247?-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTX24N100 |
IXYS Corporation |
1000V,24A , PLUS247 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTX24N100 D# 03AH1879 |
Littelfuse Inc |
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO-247AD / TUBE RoHS: Not Compliant
Min Qty: 300
Container: Bulk
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTX24N100 D# NS-IXTX24N100 |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
9548 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTX24N100 |
IXYS Corporation |
MOSFET 24 Amps 1000V pbFree: Pb-Free
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0 |
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