| Numero di parte | IXTQ48N20T |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 390.000 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ECAD |
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| Serie | Trench? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3090pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 24A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ48N20T |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ48N20T D# IXTQ48N20T-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 200V 48A TO3P |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ48N20T D# 03AH1764 |
Littelfuse Inc |
DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3P (3) / TUBE RoHS: Not Compliant
Min Qty: 30
Container: Bulk
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ48N20T D# NS-IXTQ48N20T |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
4396 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ48N20T |
IXYS Corporation |
MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTQ48N20T |
IXYS Corporation |
RFQ |
8115 |
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86-755-83210559-843
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