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IXTP3N110

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Numero di parte IXTP3N110
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Scheda dati

IXTP3N110 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 6.896 piece(s)
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Specifiche IXTP3N110

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1350pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 Ohm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica IXTP3N110

IXTP3N110 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IXTP3N110 FAQ

  • 1. How to order IXTP3N110 on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IXTP3N110 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTP3N110. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTP3N110 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTP3N110 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTP3N110 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTP3N110?
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