| Numero di parte | IXTN5N250 |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B |
| Scheda dati | |
| pacchetto | SOT-227-4, miniBLOC |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.216 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | SOT-227-4, miniBLOC |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 2500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8560pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 Ohm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTN5N250 |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTN5N250 D# IXTN5N250-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTN5N250 D# NS-IXTN5N250 |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
7161 |
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