Name: IXTK110N30
Brand: IXYS
SKU: IXTK110N30
Availability: InStock
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IXTK110N30

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Numero di parte	IXTK110N30
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 300V 110A TO-264
Scheda dati	IXTK110N30 Scheda dati
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
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Specifiche IXTK110N30

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
Serie	MegaMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	390nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7800pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-264 (IXTK)
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA

Scheda tecnica IXTK110N30

IXTK110N30 Packaging

IXTK110N30 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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