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IXTH50N30

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Numero di parte IXTH50N30
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
Scheda dati

IXTH50N30 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche IXTH50N30

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4400pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXTH)
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica IXTH50N30

IXTH50N30 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IXTH50N30 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH50N30 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTH50N30. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTH50N30 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTH50N30 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTH50N30 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTH50N30?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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