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IXTH1N100

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Numero di parte IXTH1N100
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 7.504 piece(s)
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Specifiche IXTH1N100

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds480pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXTH)
Pacchetto / casoTO-247-3

IXTH1N100 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

IXTH1N100 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH1N100 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTH1N100. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTH1N100 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTH1N100 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTH1N100 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXTH1N100?
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    (1)Inform us within 90 days
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