Name: IXTH1N100
Brand: IXYS
SKU: IXTH1N100
Availability: InStock
Rating: 5 (175 reviews)

IXTH1N100

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Numero di parte	IXTH1N100
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	7.504 piece(s)
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Specifiche IXTH1N100

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247 (IXTH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

IXTH1N100 Packaging

IXTH1N100 FAQ

1. How to order IXTH1N100 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that IXTH1N100 is from the original manufacturer or authorized agents?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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