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IXTH12N120

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Numero di parte IXTH12N120
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
A magazzino 7.744 piece(s)
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Specifiche IXTH12N120

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3400pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247 (IXTH)
Pacchetto / casoTO-247-3

IXTH12N120 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IXTH12N120 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXTH12N120 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTH12N120. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTH12N120 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTH12N120 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTH12N120 price and inventory displayed accurate?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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