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IXTA1N80

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Numero di parte IXTA1N80
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IXTA1N80

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C750mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263 (IXTA)
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTA1N80 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

IXTA1N80 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that IXTA1N80 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXTA1N80. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXTA1N80 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXTA1N80 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IXTA1N80 price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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IXYS Integrated Circuits Division

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