| Numero di parte | IXTA110N055T7 |
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| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| ECAD |
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| A magazzino | 5.680 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| ECAD |
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| Serie | TrenchMV? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-7 (IXTA..7) |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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TG2016SBN 19.2000M-PCGNDM3 | EPSON, OSC VCTCXO 19.2000MHZ SNWV SMD, 4-SMD, No Lead, TrenchMV? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTA110N055T7 |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTA110N055T7 D# IXTA110N055T7-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTA110N055T7 D# NS-IXTA110N055T7 |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
1678 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXTA110N055T7 |
IXYS Corporation |
RFQ |
9819 |
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86-755-83210559-827
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