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IXFX30N110P

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Numero di parte IXFX30N110P
Produttore IXYS
Descrizione MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
Scheda dati

IXFX30N110P Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche IXFX30N110P

ProduttoreIXYS
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieHiPerFET?, PolarP2?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs235nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs360 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS247?-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica IXFX30N110P

IXFX30N110P Packaging

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Packing
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IXFX30N110P FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IXFX30N110P is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IXFX30N110P. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IXFX30N110P on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IXFX30N110P products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of IXFX30N110P?
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    (1)Inform us within 90 days
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