Name: IXFT80N65X2HV
Brand: IXYS
SKU: IXFT80N65X2HV
Availability: InStock
Rating: 5 (70 reviews)

IXFT80N65X2HV

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Numero di parte	IXFT80N65X2HV
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
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Specifiche IXFT80N65X2HV

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	HiPerFET™, Ultra X2
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	8300 pF @ 25 V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268HV (IXFT)
Pacchetto / caso	TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA

IXFT80N65X2HV Packaging

IXFT80N65X2HV FAQ

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Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFT80N65X2HV we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFT80N65X2HV only when all of the below conditions are fulfilled:

(1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.

(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of IXFT80N65X2HV.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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