Name: IXFL30N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFL30N120P
Availability: InStock
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IXFL30N120P

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Numero di parte	IXFL30N120P
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
Scheda dati	IXFL30N120P Scheda dati
pacchetto	ISOPLUSi5-Pak?
ECAD
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Specifiche IXFL30N120P

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	ISOPLUSi5-Pak?
ECAD
Serie	HiPerFET?, PolarP2?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	310nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUSi5-Pak?
Pacchetto / caso	ISOPLUSi5-Pak?

Scheda tecnica IXFL30N120P

IXFL30N120P Packaging

IXFL30N120P FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFL30N120P we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFL30N120P only when all of the below conditions are fulfilled:

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(1)Inform us within 90 days

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D# IXFL30N120P-ND

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