Name: IXFL30N120P
Brand: IXYS
SKU: IXFL30N120P
Availability: InStock
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IXFL30N120P

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Numero di parte	IXFL30N120P
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
Scheda dati	IXFL30N120P Scheda dati
pacchetto	ISOPLUSi5-Pak?
ECAD
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Specifiche IXFL30N120P

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	ISOPLUSi5-Pak?
ECAD
Serie	HiPerFET?, PolarP2?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	310nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUSi5-Pak?
Pacchetto / caso	ISOPLUSi5-Pak?

Scheda tecnica IXFL30N120P

IXFL30N120P Packaging

IXFL30N120P FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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D# IXFL30N120P-ND

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