Name: IXFK30N110P
Brand: IXYS
SKU: IXFK30N110P
Availability: InStock
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IXFK30N110P

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Numero di parte	IXFK30N110P
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
Scheda dati	IXFK30N110P Scheda dati
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
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Specifiche IXFK30N110P

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
Serie	HiPerFET?, PolarP2?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-264AA (IXFK)
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA

Scheda tecnica IXFK30N110P

IXFK30N110P Packaging

IXFK30N110P FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFK30N110P we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFK30N110P only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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IXFK30N110P

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MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264

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IXFK30N110P

D# IXFK30N110P-ND

IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA

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