Name: IXFK30N110P
Brand: IXYS
SKU: IXFK30N110P
Availability: InStock
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IXFK30N110P

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Numero di parte	IXFK30N110P
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
Scheda dati	IXFK30N110P Scheda dati
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
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Specifiche IXFK30N110P

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-264-3, TO-264AA
ECAD
Serie	HiPerFET?, PolarP2?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-264AA (IXFK)
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA

Scheda tecnica IXFK30N110P

IXFK30N110P Packaging

IXFK30N110P FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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IXFK30N110P

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MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264

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IXFK30N110P

D# IXFK30N110P-ND

IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1100V 30A TO264AA

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