Name: IXFH6N90
Brand: IXYS
SKU: IXFH6N90
Availability: InStock
Rating: 5 (195 reviews)

IXFH6N90

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Numero di parte	IXFH6N90
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	3.952 piece(s)
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Specifiche IXFH6N90

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

IXFH6N90 Packaging

IXFH6N90 FAQ

1. How to order IXFH6N90 on Heisener?

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(1)Inform us within 90 days

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Single N-Channel 900 V 180 W 130 nC Through Hole Power Mosfet - TO-247

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D# IXFH6N90-ND

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MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD

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VBsemi Electronics Co Ltd

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OEM/CM ONLY

4669

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IXFH6N90

IXYS Corporation

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6A I(D), 900V, 1.8OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247

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