| Numero di parte | IXFH26N55Q |
|---|---|
| Produttore | IXYS |
| Descrizione | MOSFET N-CH 550V 26A TO-247 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 3.280 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | IXYS |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-247-3 |
| ECAD |
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| Serie | HiPerFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 13A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (IXFH) |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFH26N55Q |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 550V 26A TO-247 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFH26N55Q D# IXFH26N55Q-ND |
IXYS Corporation |
MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFH26N55Q |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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1000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
IXFH26N55Q D# NS-IXFH26N55Q |
IXYS Corporation |
OEM/CM ONLY |
2759 |
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86-755-83210559-802
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