Name: IXFH13N100
Brand: IXYS
SKU: IXFH13N100
Availability: InStock
Rating: 5 (118 reviews)

IXFH13N100

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Numero di parte	IXFH13N100
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	3.696 piece(s)
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Specifiche IXFH13N100

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

IXFH13N100 Packaging

IXFH13N100 FAQ

1. How to order IXFH13N100 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that IXFH13N100 is from the original manufacturer or authorized agents?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFH13N100 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFH13N100 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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1000V,13A MOSFET with FAST Intrinsic Diode, TO-247

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