Name: IXFH11N80
Brand: IXYS
SKU: IXFH11N80
Availability: InStock
Rating: 5 (168 reviews)

IXFH11N80

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Numero di parte	IXFH11N80
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD
Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	2.704 piece(s)
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Specifiche IXFH11N80

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	HiPerFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / caso	TO-247-3

IXFH11N80 Packaging

IXFH11N80 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IXFH11N80 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IXFH11N80 price and inventory displayed accurate?

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IXFH11N80 Series N-Channel 800V 0.95 Ohm 128 nC HiPerFET Power Mosfet - TO-247-3

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