Name: IXFA4N60P3
Brand: IXYS
SKU: IXFA4N60P3
Availability: InStock
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IXFA4N60P3

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Numero di parte	IXFA4N60P3
Produttore	IXYS
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche IXFA4N60P3

Produttore	IXYS
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	HiPerFET?, Polar3?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	365pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (IXFA)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXFA4N60P3 Packaging

IXFA4N60P3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that IXFA4N60P3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the IXFA4N60P3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the IXFA4N60P3 we delivered, we will accept the replacement or return of the IXFA4N60P3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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IXFA4N60P3

IXYS Corporation

MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

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IXFA4N60P3

D# IXFA4N60P3-ND

IXYS Corporation

MOSFET N-CH 600V 4A TO263

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IXFA4N60P3

D# NS-IXFA4N60P3

IXYS Corporation

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IXYS Integrated Circuits Division

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