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ISL6612AECBZ-T

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Numero di parte ISL6612AECBZ-T
Produttore Intersil
Descrizione IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
Scheda dati

ISL6612AECBZ-T Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ECAD
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Specifiche ISL6612AECBZ-T

ProduttoreIntersil
CategoriaCircuiti integrati (CI) - PMIC - Gate driver
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ECAD
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Gate TypeN-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura10.8 V ~ 13.2 V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello)1.25A, 2A
Tipo di inputNon-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap)36V
Rise / Fall Time (Typ)26ns, 18ns
temperatura di esercizio0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

Scheda tecnica ISL6612AECBZ-T

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Packing
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ISL6612AECBZ-T FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that ISL6612AECBZ-T is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ISL6612AECBZ-T. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ISL6612AECBZ-T on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ISL6612AECBZ-T products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the ISL6612AECBZ-T price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of ISL6612AECBZ-T?
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SYNCH BUCK MOSFET

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Renesas Electronics Corporation

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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