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IRLR3303TRRPBF

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Numero di parte IRLR3303TRRPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
Scheda dati

IRLR3303TRRPBF Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche IRLR3303TRRPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs31 mOhm @ 21A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica IRLR3303TRRPBF

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IRLR3303TRRPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that IRLR3303TRRPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the IRLR3303TRRPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including IRLR3303TRRPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of IRLR3303TRRPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the IRLR3303TRRPBF price and inventory displayed accurate?
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